IPW50R199CP参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPW50R199CP中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1800pF @100VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPW50R199CP

型号： IPW50R199CP

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IPW50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

替代型号IPW50R199CP