INFINEON IKW50N60H3 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ，600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
### IGBT 分立件和模块，Infineon
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
额定功率 333 W
针脚数 3
耗散功率 333 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 130 ns
额定功率Max 333 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 333 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 All hard switching applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IKW50N60H3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
NGTB45N60S2WG 安森美 | 功能相似 | IKW50N60H3和NGTB45N60S2WG的区别 |
IXXH50N60C3D1 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IKW50N60H3和IXXH50N60C3D1的区别 |
STGW50H60DF 意法半导体 | 功能相似 | IKW50N60H3和STGW50H60DF的区别 |