IXFH120N15P

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IXFH120N15P概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH120N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD


e络盟:
晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH120N15P  MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD / N-Channel 150 V 120A Tc 600W Tc Through Hole TO-247AD IXFH


IXFH120N15P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 600 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 120 A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 4900pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFH120N15P
型号: IXFH120N15P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH120N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 5 V
替代型号IXFH120N15P
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IXFH120N15P

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IXFH120N15P和IXFT120N15P的区别

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