IPP06CN10N G概述
INFINEON IPP06CN10N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
N-Channel 100V 100A Tc 214W Tc Through Hole PG-TO220-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
e络盟:
INFINEON IPP06CN10N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
IPP06CN10N G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 100 A
针脚数 3
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 214 W
阈值电压 3 V
输入电容 9.20 nF
栅电荷 139 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 9200pF @50VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPP06CN10N G
型号： IPP06CN10N G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPP06CN10N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 5 mohm, 10 V, 3 V