IS61LV5128AL-10TLI

IS61LV5128AL-10TLI图片1
IS61LV5128AL-10TLI图片2
IS61LV5128AL-10TLI图片3
IS61LV5128AL-10TLI图片4
IS61LV5128AL-10TLI图片5
IS61LV5128AL-10TLI图片6
IS61LV5128AL-10TLI图片7
IS61LV5128AL-10TLI图片8
IS61LV5128AL-10TLI图片9
IS61LV5128AL-10TLI图片10
IS61LV5128AL-10TLI图片11
IS61LV5128AL-10TLI图片12
IS61LV5128AL-10TLI图片13
IS61LV5128AL-10TLI图片14
IS61LV5128AL-10TLI图片15
IS61LV5128AL-10TLI图片16
IS61LV5128AL-10TLI图片17
IS61LV5128AL-10TLI图片18
IS61LV5128AL-10TLI概述

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61LV5128AL-10TLI  芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

### SRAM(静态随机存取存储器)


欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II


立创商城:
IS61LV5128AL-10TLI


贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v


e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 512K X 10位, 10 NS存取时间, 3.135V至3.6V电源, TSOP-44


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Jameco:
SRAM Chip ASynchronous Single 3.3 Volt 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


TME:
Memory; SRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; -40÷85°C


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II


Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61LV5128AL-10TLI  SRAM 4MB 512K X 8 3V 10NS, 61LV5128


力源芯城:
512K x 8高速CMOS SRAM,10ns


DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP


Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP


IS61LV5128AL-10TLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

工作电压 3.135V ~ 3.6V

针脚数 44

位数 8

存取时间 10 ns

内存容量 500000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.52 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61LV5128AL-10TLI
型号: IS61LV5128AL-10TLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61LV5128AL-10TLI  芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns
替代型号IS61LV5128AL-10TLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS61LV5128AL-10TLI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS61LV5128AL-10TLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS61LV5128AL-10TLI和IS61LV5128AL-10TLI-TR的区别

IS61LV5128AL-10TI

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS61LV5128AL-10TLI和IS61LV5128AL-10TI的区别

CY7C1049DV33-10ZSXI

赛普拉斯

功能相似

IS61LV5128AL-10TLI和CY7C1049DV33-10ZSXI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台