INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LV5128AL-10TLI 芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
### SRAM(静态随机存取存储器)
欧时:
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得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
立创商城:
IS61LV5128AL-10TLI
贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 512K X 10位, 10 NS存取时间, 3.135V至3.6V电源, TSOP-44
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Jameco:
SRAM Chip ASynchronous Single 3.3 Volt 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LV5128AL-10TLI SRAM 4MB 512K X 8 3V 10NS, 61LV5128
力源芯城:
512K x 8高速CMOS SRAM,10ns
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
工作电压 3.135V ~ 3.6V
针脚数 44
位数 8
存取时间 10 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.52 mm
宽度 10.29 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tray
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS61LV5128AL-10TLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
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