IXZ308N120概述
IXYS RF IXZ308N120 晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
RF Mosfet N 通道 100 V 65MHz 23dB 880W DE375
得捷:
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
e络盟:
晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 1200V 8A 6-Pin4+2Tab SMD
Newark:
# IXYS RF IXZ308N120 RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
IXZ308N120中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
针脚数 6
极性 N-Channel
耗散功率 880 W
漏源极电压Vds 1.2 kV
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 5.00 ns
输出功率 880 W
增益 23 dB
输入电容Ciss 1960pF @960VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
额定电压 1200 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DE-375
外形尺寸
封装 DE-375
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Industrial, HVAC, 工业, 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IXZ308N120
型号： IXZ308N120
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS RF IXZ308N120 晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375