IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
欧时:
IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN36N100, 36 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
得捷:
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
立创商城:
N沟道 1kV 36A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 36 A, 0.24 ohm, ISOTOP, 模块
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
富昌:
IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 240 mOhm 700 W 功率 Mosfet - SOT-227B
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 36A 4-Pin SOT-227B
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 Power MOSFET, N Channel, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 36.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.24 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1 kV
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 55 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 9200pF @25VVds
额定功率Max 700 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
材质 Silicon
重量 46.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXFN36N100 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
APT10021JLL 美高森美 | 功能相似 | IXFN36N100和APT10021JLL的区别 |
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