IXFN36N100

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IXFN36N100概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN36N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN36N100, 36 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装


得捷:
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B


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N沟道 1kV 36A


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IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 240 mOhm 700 W 功率 Mosfet - SOT-227B


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# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN36N100  Power MOSFET, N Channel, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V


IXFN36N100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 36.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 700 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 1 kV

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 55 ns

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 9200pF @25VVds

额定功率Max 700 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

材质 Silicon

重量 46.0 g

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFN36N100
型号: IXFN36N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN36N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V
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