IPP60R600C6参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP60R600C6概述

INFINEON IPP60R600C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

得捷:
7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220

力源芯城:
600V,7.3A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220

IPP60R600C6中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

额定功率Max 63 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP60R600C6

型号： IPP60R600C6

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IPP60R600C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

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替代型号IPP60R600C6

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