INFINEON IPB60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
N-Channel 600 V 11A Tc 96W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
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N沟道 600V 11A
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MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin TO-263 T/R
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**CoolMOS 600V 11A 299mOhm TO263 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB60R299CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB60R299CPA 英飞凌 | 类似代替 | IPB60R299CP和IPB60R299CPA的区别 |