IXFH16N80P概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH16N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 800 V, 600 mohm, 10 V, 5 V
The is a PolarHV™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast recovery diode.
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- Unclamped inductive switching UIS rated
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- International standard package
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- Low package inductance
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- Easy to mount
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- Space savings
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- High power density
IXFH16N80P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买IXFH16N80P
型号： IXFH16N80P
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFH16N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 800 V, 600 mohm, 10 V, 5 V