INFINEON IPD048N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
立创商城:
IPD048N06L3 G
欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD048N06L3 G MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 V
儒卓力:
**N-CH 60V 90A 5mOhm TO252-3 **
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 6300pF @30VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, Industrial, 便携式器材, Synchronous rectification, Communications & Networking, 消费电子产品, 通信与网络, Power Management, Computers & Computer Peripherals, Isolated DC-DC converters, 计算机和计算机周边, Portable Devices, 工业, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, 电源管理, Or-ing switches
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD048N06L3 G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFR7540TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IPD048N06L3 G和IRFR7540TRPBF的区别 |
IPB034N06L3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | IPD048N06L3 G和IPB034N06L3GATMA1的区别 |