IXYS SEMICONDUCTOR IXFB52N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V
N-Channel 900V 52A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS264™
得捷:
MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
贸泽:
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin3+Tab PLUS 264
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264; 300ns
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFB52N90P Power MOSFET, N Channel, 52 A, 900 V, 160 mohm, 10 V, 3.5 V
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 19000pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15