IXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 500 V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
得捷:
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 300W; TO247AD
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N50 MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
额定电压DC 500 V
额定电流 24.0 A
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 33.0 ns
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
重量 6 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFH24N50 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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