IXYS SEMICONDUCTOR IXA20I1200PB 单晶体管, IGBT, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列
IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCEsat
方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
欧时:
IXYS IXA20I1200PB N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
IGBT 1200V 33A 130W TO220
e络盟:
单晶体管, IGBT, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 33A 130000mW 3-Pin3+Tab TO-220
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXA20I1200PB IGBT Single Transistor, 33 A, 1.8 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins
针脚数 3
耗散功率 130 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 165 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 165 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 替代能源, Motor Drive & Control, 医用, 维护与修理, Maintenance & Repair, Medical, 电机驱动与控制, HVAC, Consumer Electronics, 消费电子产品, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15