IXTH30N60L2

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IXTH30N60L2概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N60L2  功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V

通孔 N 通道 600 V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247


立创商城:
N沟道 600V 30A


e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N60L2  功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247


IXTH30N60L2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 240 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 540 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 10700pF @25VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXTH30N60L2
型号: IXTH30N60L2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N60L2  功率场效应管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 600 V, 240 mohm, 10 V, 2.5 V

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