INFINEON IPP70N10S3-12 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0097 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 3
漏源极电阻 0.0097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 3350pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP70N10S3-12 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD70N10S3-12 英飞凌 | 完全替代 | IPP70N10S3-12和IPD70N10S3-12的区别 |
IPB70N10S3-12 英飞凌 | 功能相似 | IPP70N10S3-12和IPB70N10S3-12的区别 |
IPI70N10S3-12 英飞凌 | 功能相似 | IPP70N10S3-12和IPI70N10S3-12的区别 |