IXFN180N15P

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IXFN180N15P概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


贸泽:
MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, 模块


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXFN180N15P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 680000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN180N15P  MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 V


IXFN180N15P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 680 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 180 A

上升时间 32 ns

反向恢复时间 200 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 680 W

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 680000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IXFN180N15P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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