N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
贸泽:
MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 150 A, 0.011 ohm, ISOTOP, 模块
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXFN180N15P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 680000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N15P MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 V
针脚数 4
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 680 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 32 ns
反向恢复时间 200 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 680 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 680000 mW
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99