IPP200N15N3 G

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IPP200N15N3 G概述

INFINEON  IPP200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
IPP200N15N3 G


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin3+Tab TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
The IPP200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS on of 40% and of 45% in Figure of Merit FOM. The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS on within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.


IPP200N15N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1820pF @75VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP200N15N3 G
型号: IPP200N15N3 G
描述:INFINEON  IPP200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
替代型号IPP200N15N3 G
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