IXTK102N30P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTK102N30P概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V

通孔 N 通道 300 V 102A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）

得捷:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264

e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin3+Tab TO-264AA

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264

IXTK102N30P中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 700 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 102 A

上升时间 28 ns

反向恢复时间 250 ns

输入电容Ciss 7500pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXTK102N30P

型号： IXTK102N30P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V

替代型号IXTK102N30P