IXTQ170N10P

IXTQ170N10P图片1
IXTQ170N10P图片2
IXTQ170N10P图片3
IXTQ170N10P图片4
IXTQ170N10P图片5
IXTQ170N10P图片6
IXTQ170N10P图片7
IXTQ170N10P图片8
IXTQ170N10P概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V

N-Channel 100V 170A Tc 715W Tc Through Hole TO-3P


立创商城:
N沟道 100V 170A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P


贸泽:
MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds


e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P


IXTQ170N10P中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 714 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 170 A

上升时间 50 ns

反向恢复时间 120 ns

输入电容Ciss 6000pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 715W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXTQ170N10P
型号: IXTQ170N10P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ170N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
替代型号IXTQ170N10P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTQ170N10P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXFK170N10P

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTQ170N10P和IXFK170N10P的区别

IXFH170N10P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTQ170N10P和IXFH170N10P的区别

IXTT170N10P

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTQ170N10P和IXTT170N10P的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台