IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
N-Channel 100V 170A Tc 715W Tc Through Hole TO-3P
立创商城:
N沟道 100V 170A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
贸泽:
MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-3P
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
针脚数 3
漏源极电阻 9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 714 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 170 A
上升时间 50 ns
反向恢复时间 120 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 715W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXTQ170N10P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFK170N10P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXTQ170N10P和IXFK170N10P的区别 |
IXFH170N10P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ170N10P和IXFH170N10P的区别 |
IXTT170N10P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ170N10P和IXTT170N10P的区别 |