IXTT30N50L2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTT30N50L2概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 500V 30A Tc 400W Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268

贸泽:
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A

e络盟:
晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2.5 V

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30A 500V TO-268

IXTT30N50L2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

输入电容Ciss 8100pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXTT30N50L2

型号： IXTT30N50L2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V

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