IXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5V
表面贴装型 N 通道 600 V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268AA
得捷:
MOSFET N-CH 600V 36A TO268
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin2+Tab TO-268
富昌:
N-Channel 600 V 36 A 190 mΩ Surface Mount PolarHV HiPerFET Power Mosfet - TO-268
额定电压DC 600 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 650 W
阈值电压 5 V
输入电容 5.80 nF
栅电荷 102 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
反向恢复时间 200 ns
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 650 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT36N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFH36N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT36N60P和IXFH36N60P的区别 |
IXFK36N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT36N60P和IXFK36N60P的区别 |