IPI200N15N3 G概述
INFINEON IPI200N15N3 G MOSFET Transistor, N Channel, 50A, 150V, 16mohm, 10V, 3V
通孔 N 通道 150 V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3
IPI200N15N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1820pF @75VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPI200N15N3 G
型号： IPI200N15N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPI200N15N3 G MOSFET Transistor, N Channel, 50A, 150V, 16mohm, 10V, 3V