IXFH6N100F参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH6N100F概述

IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

通孔 N 通道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

贸泽:
MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A

e络盟:
IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 / N-Channel 1000 V 6A Tc 180W Tc Through Hole TO-247 IXFH

IXFH6N100F中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 1 kV

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 1770pF @25VVds

下降时间 8.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFH6N100F

型号： IXFH6N100F

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

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替代型号IXFH6N100F

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