IXZ210N50L概述
IXYS RF IXZ210N50L 晶体管, 射频FET, 500 V, 10 A, 470 W, 175 MHz, DE-275
RF Mosfet N-Channel 50V 175MHz 16dB 200W DE275
得捷:
N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 500V 10A 6-Pin
IXZ210N50L中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
针脚数 6
极性 N-Channel
耗散功率 470 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 3 ns
输出功率 200 W
增益 16 dB
输入电容Ciss 622pF @400VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
额定电压 500 V
封装参数
引脚数 6
封装 DE-275
外形尺寸
封装 DE-275
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IXZ210N50L
型号： IXZ210N50L
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS RF IXZ210N50L 晶体管, 射频FET, 500 V, 10 A, 470 W, 175 MHz, DE-275