IXGR40N60B2

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IXGR40N60B2概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR40N60B2 IGBT Single Transistor, Isolated, 60A, 1.9V, 167W, 600V, TO-247AD, 3Pins

IGBT PT 600 V 60 A 167 W 通孔 ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXGR40N60B2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

上升时间 82.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 167 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXGR40N60B2
型号: IXGR40N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR IXGR40N60B2 IGBT Single Transistor, Isolated, 60A, 1.9V, 167W, 600V, TO-247AD, 3Pins
替代型号IXGR40N60B2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGR40N60B2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IRG4PC40SPBF

英飞凌

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IXGR40N60B2和IRG4PC40SPBF的区别

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