IXGR60N60C3C1概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 75A, 2.5V, 170W, 600V, TO-247AD, 3Pins
IGBT PT 600V 75A 170W Through Hole ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 170000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 170W; ISOPLUS247™
DeviceMart:
IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
IXGR60N60C3C1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 170 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 170 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IXGR60N60C3C1
型号： IXGR60N60C3C1
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 75A, 2.5V, 170W, 600V, TO-247AD, 3Pins