IXYS SEMICONDUCTOR IXFR180N15P MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 150V, 13mohm, 10V, 5V
通孔 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
贸泽:
MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this IXFR180N15P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 100A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
通道数 1
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 32 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15