IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列
IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCEsat
方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
得捷:
IGBT 1200V 38A 165W TO247
欧时:
### IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 165000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXA20IF1200HB IGBT Single Transistor, 38 A, 1.8 V, 165 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
耗散功率 165 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 350 ns
额定功率Max 165 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 165 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15