动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
贸泽:
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SDRAM; 32Mx16bit; 166MHz; 6ns; TSOP66 II; -40÷85°C; 2.5VDC
Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
供电电流 370 mA
位数 16
存取时间 6 ns
存取时间Max 0.7 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 66
封装 TSOP-66
封装 TSOP-66
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99