IXFC110N10P概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXFC110N10P MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 100V, 17mohm, 10V, 5V
N-Channel 100V 60A Tc 120W Tc Through Hole ISOPLUS220™
得捷:
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220
IXFC110N10P中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 3550pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买IXFC110N10P
型号： IXFC110N10P
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFC110N10P MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 100V, 17mohm, 10V, 5V