IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B
底座安装 N 通道 24A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
贸泽:
MOSFET
e络盟:
IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 390 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFN24N100F IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFK26N100P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFN24N100F和IXFK26N100P的区别 |
IXFX26N100P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFN24N100F和IXFX26N100P的区别 |