INFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
立创商城:
IPP60R299CP
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
欧时:
### Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB
力源芯城:
600V,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
CoolMOS Power Transistor
额定电压DC 600 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP60R299CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPW60R299CP 英飞凌 | 类似代替 | IPP60R299CP和IPW60R299CP的区别 |
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