INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LPS25636A-200TQLI IC, SRAM, 8Mbit, 256K x 36Bit, 3.1ns Access Time, Parallel, 3.135V to 3.465V supply, TQFP-100
SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP 14x20
得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61LPS25636A 200TQLI
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SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
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SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
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SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
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# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61LPS25636A-200TQLI IC, SRAM, 8 Mbit, 256K x 36bit, 3.1 ns Access Time, Parallel, 3.135 V to 3.465 V supply, TQFP-100
DeviceMart:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
Win Source:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
频率 200 MHz
电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
时钟频率 200 MHz
位数 36
存取时间 3.1 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
封装 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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