IPI60R250CP

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IPI60R250CP中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1200pF @100VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: IPI60R250CP
描述:CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor

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