IPD60R520C6中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8.1A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 512pF @100VVds
额定功率Max 66 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPD60R520C6
型号： IPD60R520C6
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPD60R520C6
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD60R520C6 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R520C6ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R520C6和IPD60R520C6ATMA1的区别 |