静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(256K x 36) 并联 100-TQFP(14x20)
立创商城:
IS61NLP25636A 200TQLI
得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
贸泽:
静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS61NLP25636A-200TQLI IC, SRAM, 9 Mbit, 256K x 8bit, 3.1 ns Access Time, 3.135 V to 3.465 V supply, TQFP-100
DeviceMart:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
Win Source:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
频率 200 MHz
电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
时钟频率 200 MHz
位数 36
存取时间 3.1 ns
内存容量 1125000 B
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
电源电压Max 3.465 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
封装 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IS61NLP25636A-200TQLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61NLP25636A-200TQI Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61NLP25636A-200TQLI和IS61NLP25636A-200TQI的区别 |
IS61NLP25636A-200TQLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61NLP25636A-200TQLI和IS61NLP25636A-200TQLI-TR的区别 |
CY7C1354C-166AXC 赛普拉斯 | 功能相似 | IS61NLP25636A-200TQLI和CY7C1354C-166AXC的区别 |