IPI057N08N3 G概述
INFINEON IPI057N08N3 G MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 80V, 4.9mohm, 10V, 2.8V
通孔 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
IPI057N08N3 G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0049 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
输入电容Ciss 4750pF @40VVds
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPI057N08N3 G
型号： IPI057N08N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPI057N08N3 G MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 80V, 4.9mohm, 10V, 2.8V