Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 500V 6.1A
欧时:
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
儒卓力:
**N-CH 500V 6,1A 650mOhm TO252-3 **
力源芯城:
500V,6.1A,650mOhm,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
极性 N-Channel
耗散功率 47W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 342pF @100VVds
额定功率Max 47 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 47W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPD50R650CE Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50R650CEATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R650CE和IPD50R650CEATMA1的区别 |
IPD50R500CEATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD50R650CE和IPD50R500CEATMA1的区别 |