IPD50R650CE

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IPD50R650CE概述

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 500V 6.1A


欧时:
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


儒卓力:
**N-CH 500V 6,1A 650mOhm TO252-3 **


力源芯城:
500V,6.1A,650mOhm,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252


IPD50R650CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 47W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 6.1A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 342pF @100VVds

额定功率Max 47 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPD50R650CE
型号: IPD50R650CE
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPD50R650CE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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