IPB79CN10N G概述
INFINEON IPB79CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 13A, 100V, 61mohm, 10V, 3V
N-Channel 100V 13A Tc 31W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 13A D2PAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
IPB79CN10N G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.061 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 716pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPB79CN10N G
型号： IPB79CN10N G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPB79CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 13A, 100V, 61mohm, 10V, 3V