IDT10S60C

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IDT10S60C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

输出电流 ≤10.0 A

正向电压 1.7 V

极性 Standard

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 84 A

正向电压Max 1.7 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IDT10S60C
型号: IDT10S60C
制造商: Infineon 英飞凌
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
替代型号IDT10S60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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