IDT71016S20YG参数规格_中文资料_数据手册PDF

IDT71016S20YG中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 4.50V min

存取时间 20 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 5 V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 BSOJ-44

外形尺寸

封装 BSOJ-44

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

在线购买IDT71016S20YG

型号： IDT71016S20YG

制造商： Integrated Device Technology 艾迪悌

描述：CMOS静态RAM 1兆欧（ 64K ×16位） CMOS Static RAM 1 Meg 64K x 16-Bit

替代型号IDT71016S20YG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IDT71016S20YG Integrated Device Technology 艾迪悌	当前型号	当前型号
71016S20Y 艾迪悌	完全替代	IDT71016S20YG和71016S20Y的区别
CY7C1021D-10VXI 赛普拉斯	功能相似	IDT71016S20YG和CY7C1021D-10VXI的区别
71016S20YG 艾迪悌	功能相似	IDT71016S20YG和71016S20YG的区别