CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
Summary of Features:
Target Applications:
通道数 1
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 14 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPA50R350CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP50R399CPXKSA1 英飞凌 | 类似代替 | IPA50R350CP和IPP50R399CPXKSA1的区别 |
IPA50R399CP 英飞凌 | 类似代替 | IPA50R350CP和IPA50R399CP的区别 |
IPP50R399CP 英飞凌 | 类似代替 | IPA50R350CP和IPP50R399CP的区别 |