IPP50R199CP参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP50R199CP概述

INFINEON IPP50R199CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

, SP000236074

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N沟道 550V 17A

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MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP

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MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

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Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

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**N-CH 500V 17A 199mOhm TO220-3 **

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500V,17A,N沟道功率MOSFET

IPP50R199CP中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1800pF @100VVds

额定功率Max 139 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPP50R199CP

型号： IPP50R199CP

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON IPP50R199CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

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替代型号IPP50R199CP

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