IPB60R520CP

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IPB60R520CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.47 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 66 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.80 A

上升时间 12 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB60R520CP
型号: IPB60R520CP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
替代型号IPB60R520CP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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