IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V
通孔 N 通道 500 V 70A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264™
得捷:
MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
欧时:
MOSFET 100A 500V ISOPLUS264
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N沟道 500V 70A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 70 A, 0.052 ohm, ISOPLUS-264, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 264
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 264
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# IXYS SEMICONDUCTOR IXFL100N50P MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 500 V, 52 mohm, 10 V, 5 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.052 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 29 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 20000pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXFL100N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
FDL100N50F 飞兆/仙童 | 功能相似 | IXFL100N50P和FDL100N50F的区别 |
APT50M50JLC Advanced Power Technology | 功能相似 | IXFL100N50P和APT50M50JLC的区别 |
APT50M50PVR 美高森美 | 功能相似 | IXFL100N50P和APT50M50PVR的区别 |