IXYS SEMICONDUCTOR IXFB110N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
欧时:
MOSFET 600V 110A Polar3 HiPerFET PLUS264
立创商城:
N沟道 600V 110A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
贸泽:
MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin3+Tab PLUS 264
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 110A; 1890W; PLUS264; 250ns
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin3+Tab PLUS 264
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.89 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 18000pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1890W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Industrial, Power Management, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16