IXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V
通孔 N 通道 150 V 180A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
得捷:
MOSFET N-CH 150V 180A TO264
立创商城:
IXTK180N15P
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 0.01 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-264AA
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-264
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 715W; TO264
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 180A TO264 / N-Channel 150 V 180A Tc 800W Tc Through Hole TO-264 IXTK
针脚数 3
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 800 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 32 ns
反向恢复时间 150 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 800 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXTK180N15P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTK200N10L2 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTK180N15P和IXTK200N10L2的区别 |
IXTX200N10L2 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTK180N15P和IXTX200N10L2的区别 |