RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
立创商城:
IS62WV25616BLL-55TLI
贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,55ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
TME:
Memory; SRAM; 256kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44; -40÷85°C
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS62WV25616BLL-55TLI IC, SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, 55 ns Access Time, 2.5 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
Win Source:
IC SRAM 4MBIT 55NS 44TSOP
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
工作电压 3.3 V
位数 16
存取时间 55 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.52 mm
宽度 10.29 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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