INFINEON IPP320N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IPP320N20N3 G
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Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
儒卓力:
**MOSFET 200V 32mOhm 34A TO220 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 2350pF @100VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR